BT33F Transistor de Unijuntura UJT 45V 1.5A TO-39

BT33F Transistor de Unijuntura UJT de Silicio 400mW TO-39

El BT33F es un transistor de unijuntura UJT (Unijunction Transistor) de silicio, dispositivo semiconductor de tres terminales utilizado principalmente en circuitos de disparo, osciladores de relajación, temporizadores y control de potencia.

A diferencia de un transistor BJT convencional, el BT33F dispone de un Emisor (E) y dos terminales de base denominadas B1 y B2. Su característica de resistencia negativa permite utilizarlo para generar pulsos y realizar el disparo de dispositivos de potencia como SCR y TRIAC.

La versión BT33F presenta una relación intrínseca de separación (?) especificada aproximadamente entre 0.65 y 0.90 y una resistencia interbase rBB de aproximadamente 5 k? a 12 k?.

Es especialmente útil para reparación de equipos electrónicos antiguos, controles de potencia, reguladores, temporizadores y circuitos donde se requiere reemplazar un transistor UJT de características compatibles.

CARACTERÍSTICAS

• Transistor de unijuntura UJT.
• Modelo: BT33F.
• Semiconductor de silicio.
• Dispositivo de tres terminales.
• Terminales: Emisor E, Base 1 B1 y Base 2 B2.
• Característica de resistencia negativa.
• Relación intrínseca ?: aproximadamente 0.65 a 0.90.
• Resistencia interbase rBB: aproximadamente 5 k? a 12 k?.
• VEB: hasta 5 V.
• IB2: aproximadamente 8 mA a 40 mA.
• Disipación máxima: 400 mW.
• Adecuado para osciladores de relajación.
• Utilizado en circuitos de disparo para SCR y TRIAC.
• Encapsulado metálico de 3 terminales.

ESPECIFICACIONES

• Modelo: BT33F.
• Tipo: UJT / Unijunction Transistor.
• Material semiconductor: Silicio.
• Número de terminales: 3.
• Terminales: E / B1 / B2.
• Relación intrínseca ?: 0.65 a 0.90.
• Resistencia interbase rBB: 5 k? a 12 k?.
• VEB: ? 5 V.
• IB2: 8 mA a 40 mA.
• Disipación máxima de potencia: 400 mW.
• Encapsulado: Metálico de 3 terminales / TO-39.

TRANSISTOR DE UNIJUNTURA UJT

El BT33F pertenece a la familia de transistores de unijuntura o UJT.

Este tipo de semiconductor es diferente de los transistores BJT y MOSFET convencionales. En lugar de disponer de terminales Base, Colector y Emisor, utiliza:

• E: Emisor.
• B1: Base 1.
• B2: Base 2.

Entre B1 y B2 existe una resistencia interna denominada resistencia interbase. La terminal de Emisor interactúa con esta estructura interna para producir el comportamiento característico del UJT.

CARACTERÍSTICA DE RESISTENCIA NEGATIVA

Una de las propiedades más importantes de un transistor UJT es su región de resistencia negativa.

Cuando el voltaje aplicado al Emisor alcanza determinado nivel de disparo, el dispositivo comienza a conducir y se produce un cambio rápido en su comportamiento eléctrico.

Esta característica permite generar pulsos de forma sencilla, razón por la cual los UJT fueron ampliamente utilizados en osciladores, temporizadores y circuitos de disparo.

OSCILADOR DE RELAJACIÓN

Una de las aplicaciones clásicas del BT33F es la construcción de osciladores de relajación.

En este tipo de circuito normalmente se utiliza un capacitor que se carga progresivamente mediante una resistencia. Cuando el voltaje alcanza el punto de disparo del UJT, el transistor entra rápidamente en conducción y permite descargar el capacitor.

Después de la descarga, el dispositivo vuelve a su estado inicial y el proceso comienza nuevamente, generando una señal periódica.

Modificando los valores de resistencia y capacitancia pueden obtenerse diferentes tiempos y frecuencias de oscilación.

DISPARO DE SCR Y TRIAC

El BT33F puede utilizarse para generar los pulsos necesarios para controlar dispositivos de potencia como SCR y TRIAC.

El UJT genera un pulso cuando alcanza su punto de disparo, y dicho pulso puede utilizarse para activar la compuerta del dispositivo de potencia.

Esta técnica fue ampliamente utilizada en controles de fase, reguladores de potencia, controles de velocidad y diferentes sistemas industriales.

RELACIÓN INTRÍNSECA ?

Un parámetro característico de los transistores de unijuntura es la relación intrínseca de separación ? (eta).

Para la clasificación BT33F se especifica aproximadamente un rango de 0.65 a 0.90.

Este parámetro está relacionado con la estructura resistiva existente entre las terminales B1 y B2 y es importante para determinar el punto de disparo del dispositivo dentro de un circuito.

RESISTENCIA INTERBASE

Entre las terminales B1 y B2 del BT33F existe una resistencia interna conocida como rBB o resistencia interbase.

Para la versión BT33F se especifica un valor aproximado de 5 k? a 12 k?.

Al realizar una comprobación básica con un multímetro puede observarse esta resistencia entre B1 y B2, aunque una prueba completa del dispositivo requiere considerar también el comportamiento de la terminal de Emisor.

TERMINALES

• E - Emisor: terminal de control y disparo del transistor de unijuntura.
• B1 - Base 1: primera terminal de la estructura resistiva interna.
• B2 - Base 2: segunda terminal de la estructura resistiva interna.

Antes de instalar el componente debe verificarse la distribución física de terminales correspondiente al dispositivo adquirido.

APLICACIONES

• Osciladores de relajación.
• Generadores de pulsos.
• Temporizadores.
• Circuitos de disparo.
• Disparo de SCR.
• Disparo de TRIAC.
• Control de fase.
• Reguladores de potencia.
• Control de iluminación.
• Control de velocidad.
• Circuitos de sincronización.
• Equipos industriales.
• Tarjetas electrónicas de control.
• Reparación de equipos electrónicos.
• Reemplazo de transistores UJT compatibles.

BT33F NO ES UN SCR

El BT33F puede encontrarse utilizado dentro de circuitos que controlan SCR y TRIAC, por lo que ocasionalmente es identificado incorrectamente como un tiristor.

El BT33F es un transistor de unijuntura UJT y no un SCR.

El UJT normalmente cumple la función de generar el pulso de disparo, mientras que el SCR o TRIAC es el dispositivo encargado de manejar la carga de potencia.

IMPORTANTE

• El BT33F es un transistor de unijuntura UJT.
• No debe confundirse con un transistor BJT NPN o PNP.
• No debe confundirse con un SCR o TRIAC.
• Dispone de tres terminales: E, B1 y B2.
• Relación intrínseca ? especificada para la versión F: aproximadamente 0.65 a 0.90.
• Resistencia interbase rBB: aproximadamente 5 k? a 12 k?.
• Disipación máxima especificada: 400 mW.
• La distribución física de terminales debe verificarse antes de instalar el componente.
• Al utilizarlo como reemplazo, compare los parámetros eléctricos con los del componente original.

INCLUYE

• 1 - Transistor de unijuntura BT33F.
• Encapsulado metálico de 3 terminales.