STGW60V60DF Transistor IGBT 600V 60A 375W Alta Velocidad con Diodo, TO-247

STGW60V60DF Transistor IGBT 600V 60A 375W Alta Velocidad con Diodo, TO-247

El STGW60V60DF es un transistor IGBT de potencia de alta velocidad fabricado por STMicroelectronics, diseñado para aplicaciones de conmutación que requieren manejar altos niveles de voltaje y corriente con bajas pérdidas.

Pertenece a la serie V de STMicroelectronics y utiliza tecnología avanzada Trench Gate Field-Stop, desarrollada para ofrecer un equilibrio entre pérdidas de conducción y pérdidas de conmutación en convertidores de alta frecuencia.

El STGW60V60DF soporta una tensión Colector-Emisor de hasta 600 V y está caracterizado para una corriente de colector de 60 A. Además, incorpora un diodo antiparalelo de recuperación rápida, característica especialmente útil en inversores, convertidores y otras aplicaciones de electrónica de potencia.

Su encapsulado TO-247 de 3 terminales facilita la instalación sobre disipadores de calor y permite utilizarlo en equipos de alta potencia como inversores fotovoltaicos, sistemas UPS, equipos de soldadura y circuitos de corrección de factor de potencia.

CARACTERÍSTICAS

• Transistor de potencia tipo IGBT.
• Tecnología Trench Gate Field-Stop.
• Serie V de STMicroelectronics.
• Voltaje Colector-Emisor: 600 V.
• Corriente de colector: 60 A.
• Alta velocidad de conmutación.
• Diodo antiparalelo integrado.
• Diodo de recuperación rápida y suave.
• Bajas pérdidas de conducción y conmutación.
• Coeficiente positivo de VCE(sat) respecto a la temperatura.
• Adecuado para operación en paralelo.
• Temperatura máxima de unión de 175 °C.
• Encapsulado TO-247.
• Montaje Through-Hole (THT).

ESPECIFICACIONES

• Modelo: STGW60V60DF.
• Fabricante: STMicroelectronics.
• Tipo: IGBT de potencia.
• Tecnología: Trench Gate Field-Stop.
• Serie: V Series.
• Voltaje Colector-Emisor (VCES): 600 V.
• Corriente de colector de referencia: 60 A.
• Corriente máxima absoluta de colector: hasta 80 A bajo las condiciones especificadas.
• Corriente pulsada de colector: hasta 240 A.
• VCE(sat) típico: 1.85 V a IC = 60 A.
• VCE(sat) máximo: aproximadamente 2.3 V a IC = 60 A y VGE = 15 V.
• Voltaje Gate-Emitter máximo: ±20 V.
• Disipación máxima de potencia: 375 W.
• Temperatura máxima de unión: 175 °C.
• Diodo antiparalelo: Integrado.
• Encapsulado: TO-247.
• Número de terminales: 3.
• Montaje: Through-Hole (THT).

TECNOLOGÍA TRENCH GATE FIELD-STOP

El STGW60V60DF utiliza una estructura Trench Gate Field-Stop desarrollada para mejorar el desempeño del IGBT durante aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.

Esta tecnología permite obtener una combinación favorable entre baja tensión de saturación y bajas pérdidas durante las transiciones de encendido y apagado.

La serie V está especialmente orientada a convertidores de alta frecuencia donde la eficiencia y la velocidad de conmutación son factores importantes.

DIODO ANTIPARALELO INTEGRADO

La terminación DF identifica una versión que incorpora un diodo antiparalelo de recuperación rápida.

El diodo proporciona un camino para la corriente inversa generada por cargas inductivas y resulta especialmente útil en aplicaciones como inversores, convertidores de potencia, sistemas UPS y equipos de soldadura.

Su recuperación rápida y suave ayuda a reducir las pérdidas y perturbaciones producidas durante la conmutación.

ALTA VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN

El STGW60V60DF está diseñado para aplicaciones de alta y muy alta frecuencia de conmutación. La serie V de STMicroelectronics está orientada a aplicaciones donde se busca minimizar las pérdidas durante las transiciones del IGBT.

Esta característica permite utilizar el dispositivo en convertidores de potencia de alta eficiencia y sistemas donde un IGBT convencional de menor velocidad podría generar mayores pérdidas de conmutación.

APLICACIONES

• Inversores fotovoltaicos.
• Inversores de potencia.
• Sistemas UPS.
• Fuentes de alimentación ininterrumpida.
• Equipos de soldadura.
• Corrección de factor de potencia (PFC).
• Convertidores de alta frecuencia.
• Convertidores DC-AC.
• Convertidores de potencia.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Electrónica industrial.
• Reparación de equipos electrónicos de potencia.

ENCAPSULADO TO-247

El STGW60V60DF utiliza un encapsulado de potencia TO-247 de tres terminales para montaje Through-Hole.

Este encapsulado proporciona una superficie adecuada para transferir el calor generado por el semiconductor hacia un disipador, siendo ampliamente utilizado en transistores MOSFET e IGBT destinados a aplicaciones de potencia.

En aplicaciones de alta corriente es indispensable utilizar una disipación térmica adecuada y considerar las condiciones reales de temperatura de operación.

TERMINALES

• Pin 1: Gate (G).
• Pin 2: Collector (C).
• Pin 3: Emitter (E).
• Tab: Collector (C).

IMPORTANTE

• El STGW60V60DF es un IGBT; no debe confundirse con un MOSFET convencional.
• El voltaje máximo Colector-Emisor es de 600 V.
• STMicroelectronics caracteriza este dispositivo como un IGBT de 600 V / 60 A.
• La corriente máxima disponible depende de la temperatura y de las condiciones térmicas de operación.
• La disipación máxima de 375 W solamente es alcanzable bajo las condiciones térmicas especificadas por el fabricante.
• Incorpora un diodo antiparalelo de recuperación rápida.
• El tab del encapsulado está conectado eléctricamente al colector.
• Utilice aislamiento eléctrico apropiado cuando se monte sobre un disipador que no deba quedar conectado al colector.
• Verifique la distribución de terminales antes de utilizarlo como reemplazo.
• Utilice protección ESD durante su manipulación.

INCLUYE

• 1 - Transistor IGBT STGW60V60DF.
• 600 V, 60 A, alta velocidad.
• Diodo antiparalelo integrado.
• Encapsulado TO-247.