NDS9948 MOSFET Dual Canal P 60V 2.3A SMD, SOIC-8

NDS9948 MOSFET Dual Canal P 60V 2.3A SMD, SOIC-8 PowerTrench

El NDS9948 es un transistor MOSFET Dual de Canal P (Dual P-Channel), diseñado para aplicaciones de administración de energía, conmutación de cargas y protección de baterías. Incorpora dos MOSFET independientes dentro de un solo encapsulado SOIC-8, permitiendo reducir espacio en la tarjeta electrónica y simplificar el diseño del circuito.

Fabricado con la tecnología PowerTrench®, ofrece una baja resistencia en conducción RDS(on), baja carga de compuerta y alta velocidad de conmutación, proporcionando un funcionamiento eficiente en equipos electrónicos alimentados por batería y sistemas de distribución de energía.

Cada MOSFET soporta un voltaje máximo Drain-Source (VDS) de ?60 V y una corriente continua de hasta ?2.3 A, siendo adecuado para aplicaciones de potencia de baja y media corriente.

CARACTERÍSTICAS

• MOSFET Dual de Canal P.
• Dos MOSFET independientes en un solo encapsulado.
• Tecnología PowerTrench®.
• Voltaje Drain-Source (VDS): ?60 V.
• Corriente continua Drain (ID): ?2.3 A por canal.
• Corriente pulsada: ?10 A.
• RDS(on): 250 m? máximo a VGS = ?10 V.
• RDS(on): 500 m? máximo a VGS = ?4.5 V.
• Baja carga de compuerta (Qg típico: 9 nC).
• Alta velocidad de conmutación.
• Encapsulado SOIC-8.
• Montaje superficial SMD.

ESPECIFICACIONES

• Modelo: NDS9948.
• Fabricante: onsemi (Fairchild Semiconductor).
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Configuración: Dual P-Channel.
• Voltaje Drain-Source (VDS): ?60 V.
• Voltaje Gate-Source (VGS): ±20 V.
• Corriente continua Drain (ID): ?2.3 A por canal.
• Corriente pulsada (IDM): ?10 A.
• RDS(on): 250 m? máximo a VGS = ?10 V.
• RDS(on): 500 m? máximo a VGS = ?4.5 V.
• Carga típica de compuerta: 9 nC.
• Potencia máxima de disipación: 2 W (operación dual).
• Temperatura de operación: ?55 °C a +175 °C.
• Encapsulado: SOIC-8.
• Tipo de montaje: Superficial SMD.

DISTRIBUCIÓN DE TERMINALES

• Dos MOSFET independientes dentro del encapsulado.
• Cada dispositivo dispone de terminales Gate, Drain y Source.
• Ideal para implementar interruptores electrónicos dobles o controlar dos cargas independientes.

APLICACIONES

• Administración de energía.
• Interruptores electrónicos (Load Switch).
• Protección de baterías.
• Equipos portátiles.
• Fuentes de alimentación.
• Circuitos de conmutación.
• Control de alimentación en dispositivos electrónicos.
• Tarjetas electrónicas.
• Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos.

TECNOLOGÍA POWERTRENCH®

La tecnología PowerTrench® desarrollada por onsemi permite obtener una menor resistencia en conducción y una baja carga de compuerta, mejorando la eficiencia energética y reduciendo las pérdidas durante la conmutación.

Estas características hacen que el NDS9948 sea una excelente opción para aplicaciones donde se requiere bajo consumo y alta eficiencia.

IMPORTANTE

• El NDS9948 contiene dos MOSFET de canal P independientes dentro del mismo encapsulado.
• Verifique la distribución de terminales antes de utilizarlo como reemplazo.
• Compruebe la compatibilidad de voltaje, corriente y RDS(on) con el componente original.
• Los dispositivos MOSFET son sensibles a descargas electrostáticas; manipúlelos utilizando protección ESD.
• Para aplicaciones de potencia, considere la disipación térmica del PCB.

INCLUYE

• 1 - MOSFET Dual Canal P NDS9948, ?60 V, ?2.3 A por canal, SOIC-8 SMD.