BS250 Transistor MOSFET Canal P 60V 180mA, TO-92

BS250 Transistor MOSFET Canal P 60V 180mA, TO-92

El BS250 es un transistor MOSFET de canal P (P-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación y control de señales en circuitos electrónicos. Su tecnología MOSFET proporciona una alta impedancia de entrada, permitiendo controlar el dispositivo mediante voltaje aplicado a la compuerta (Gate) con una corriente de control muy reducida.

Cuenta con una tensión Drain-Source de hasta 60 V y, dependiendo de la versión del fabricante, una corriente continua de Drain de hasta aproximadamente 180 mA. Se presenta en encapsulado TO-92 de 3 terminales, ampliamente utilizado en circuitos electrónicos de montaje Through-Hole.

Por tratarse de un MOSFET de canal P, resulta especialmente útil para aplicaciones de conmutación en el lado positivo de la alimentación (High-Side Switching), control de pequeñas cargas, interfaces y circuitos de conmutación electrónica.

CARACTERÍSTICAS

• Transistor MOSFET de canal P.
• Tecnología DMOS.
• Voltaje Drain-Source de hasta 60 V.
• Corriente Drain de hasta aproximadamente 180 mA, según fabricante.
• Alta impedancia de entrada.
• Control mediante voltaje aplicado a la compuerta.
• Alta velocidad de conmutación.
• Compatible con aplicaciones de control mediante lógica CMOS.
• Adecuado para conmutación del lado positivo (High-Side).
• Encapsulado compacto TO-92.
• 3 terminales.
• Montaje Through-Hole (THT).

ESPECIFICACIONES

• Modelo: BS250
• Tipo de transistor: MOSFET.
• Canal: P (P-Channel).
• Modo: Enhancement / Enriquecimiento.
• Voltaje Drain-Source (VDS): Hasta 60 V.
• Corriente continua Drain (ID): Hasta aproximadamente 180 mA, según fabricante.
• Número de canales: 1.
• Encapsulado: TO-92.
• Número de terminales: 3.
• Tipo de montaje: Through-Hole (THT).

TERMINALES DEL MOSFET

• Gate (G): Compuerta.
• Drain (D): Drenador.
• Source (S): Fuente.

La distribución física de los terminales puede depender del fabricante del componente. Se recomienda consultar la hoja de datos correspondiente al fabricante del BS250 suministrado antes de realizar la conexión.

APLICACIONES

• Conmutación electrónica.
• High-Side Switching.
• Control de pequeñas cargas.
• Drivers electrónicos.
• Circuitos de alimentación.
• Convertidores electrónicos.
• Circuitos de control.
• Interfaces con circuitos CMOS.
• Equipos alimentados mediante batería.
• Proyectos electrónicos.
• Reparación de tarjetas electrónicas.

MOSFET DE CANAL P

El BS250 es un MOSFET de canal P, por lo que su funcionamiento es diferente al de un transistor bipolar BJT PNP. El MOSFET se controla principalmente mediante la diferencia de voltaje entre sus terminales Gate y Source (VGS).

Una aplicación común de los MOSFET de canal P es la conmutación del lado positivo de una fuente de alimentación, permitiendo conectar o desconectar una carga mediante una señal de control.

Su alta impedancia de entrada también permite utilizarlo en circuitos donde se desea reducir la corriente requerida por la etapa de control.

IMPORTANTE

• El BS250 es un MOSFET de canal P; no es un transistor BJT PNP.
• Verifique el pinout correspondiente al fabricante antes de instalar el componente.
• Los valores máximos pueden presentar pequeñas variaciones dependiendo del fabricante y versión del BS250.
• No exceda los valores máximos de voltaje, corriente y disipación especificados en la hoja de datos.
• Los dispositivos MOSFET pueden ser sensibles a descargas electrostáticas; utilice las precauciones adecuadas durante su manipulación.
• Para utilizarlo como reemplazo, verifique tipo de canal, voltaje, corriente, encapsulado y distribución de terminales.

INCLUYE

• 1 - Transistor MOSFET Canal P BS250, encapsulado TO-92.