AO4413 MOSFET Canal P 30V 15A, SMD, SOIC-8

AO4413 MOSFET Canal P 30V 15A SMD, SOIC-8

El AO4413 es un transistor MOSFET de canal P (P-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia, control de cargas y modulación PWM. Utiliza tecnología Trench MOSFET para proporcionar una baja resistencia en conducción (RDS(on)) y baja carga de compuerta, permitiendo obtener una conmutación eficiente con bajas pérdidas de potencia.

Cuenta con una tensión Drain-Source de hasta -30 V y una corriente continua de Drain de hasta -15 A bajo las condiciones especificadas por el fabricante. Su baja resistencia en conducción, de menos de 7 m? a VGS = -20 V, permite utilizarlo en aplicaciones donde se requiere controlar corrientes relativamente altas con una baja caída de voltaje.

El AO4413 se presenta en encapsulado SOIC-8 para montaje superficial SMD, siendo adecuado para reparación de tarjetas electrónicas, fuentes de alimentación, sistemas alimentados por batería, control de cargas y otros circuitos electrónicos de potencia.

CARACTERÍSTICAS

• Transistor MOSFET de canal P.
• Tecnología Trench MOSFET.
• Voltaje Drain-Source (VDS): -30 V.
• Corriente continua Drain (ID): Hasta -15 A.
• Baja resistencia Drain-Source en conducción.
• RDS(on) menor a 7 m? con VGS = -20 V.
• RDS(on) menor a 8.5 m? con VGS = -10 V.
• Voltaje máximo Gate-Source: ±25 V.
• Baja carga de compuerta.
• Adecuado para conmutación de cargas.
• Adecuado para aplicaciones PWM.
• Encapsulado SOIC-8.
• Montaje superficial SMD.

ESPECIFICACIONES

• Modelo: AO4413
• Tipo: MOSFET.
• Tipo de canal: P (P-Channel).
• Modo de operación: Enhancement / Enriquecimiento.
• Voltaje Drain-Source (VDS): -30 V.
• Corriente continua Drain (ID) a 25 °C: -15 A.
• Corriente continua Drain (ID) a 70 °C: -12.8 A.
• Corriente Drain pulsada (IDM): -120 A.
• Voltaje Gate-Source (VGS): ±25 V.
• RDS(on) a VGS = -20 V: Menor a 7 m?.
• RDS(on) a VGS = -10 V: Menor a 8.5 m?.
• Disipación máxima de potencia a 25 °C: 3.1 W.
• Temperatura de unión y almacenamiento: -55 °C a +150 °C.
• Encapsulado: SOIC-8.
• Número de terminales: 8.
• Tipo de montaje: Superficial SMD.

DISTRIBUCIÓN DE TERMINALES

• Pin 1: Source (S).
• Pin 2: Source (S).
• Pin 3: Source (S).
• Pin 4: Gate (G).
• Pin 5: Drain (D).
• Pin 6: Drain (D).
• Pin 7: Drain (D).
• Pin 8: Drain (D).

Los múltiples terminales de Source y Drain permiten distribuir la corriente y reducir la resistencia eléctrica y térmica de las conexiones dentro del encapsulado.

APLICACIONES

• Conmutación electrónica de potencia.
• Interruptores electrónicos de carga.
• Load Switch.
• Control de alimentación.
• Aplicaciones PWM.
• Fuentes de alimentación.
• Convertidores DC-DC.
• Sistemas alimentados mediante batería.
• Equipos electrónicos portátiles.
• Tarjetas de control.
• Protección y administración de alimentación.
• Reparación de tarjetas electrónicas.

MOSFET DE CANAL P

El AO4413 es un MOSFET de canal P, una característica que permite utilizarlo en aplicaciones de conmutación sobre el lado positivo de la alimentación. El dispositivo se controla mediante la diferencia de voltaje existente entre sus terminales Gate y Source (VGS).

Su combinación de 30 V, alta capacidad de corriente y baja resistencia RDS(on) permite utilizarlo como interruptor electrónico eficiente en circuitos donde se busca reducir las pérdidas de potencia y la caída de voltaje durante la conducción.

BAJA RESISTENCIA RDS(ON)

Una de las características principales del AO4413 es su baja resistencia Drain-Source cuando se encuentra completamente encendido. El fabricante especifica un valor inferior a 7 m? con VGS = -20 V e inferior a 8.5 m? con VGS = -10 V.

Una baja RDS(on) ayuda a reducir la caída de voltaje y las pérdidas de potencia generadas por el MOSFET durante la conducción, una característica especialmente importante en aplicaciones de control de corriente y alimentación.

IMPORTANTE

• El AO4413 es un MOSFET de canal P.
• El valor de 15 A corresponde a las condiciones de prueba y límites térmicos establecidos por el fabricante; la corriente práctica dependerá del diseño de la tarjeta, temperatura y capacidad de disipación.
• Para utilizarlo como reemplazo, verifique voltaje VDS, corriente ID, RDS(on), voltaje de compuerta, encapsulado y distribución de terminales.
• No exceda el voltaje máximo Gate-Source de ±25 V.
• Los dispositivos MOSFET pueden ser sensibles a descargas electrostáticas; utilice las precauciones correspondientes durante su manipulación.
• Para trabajos de reparación, verifique la orientación del componente antes de soldarlo a la tarjeta.

INCLUYE

• 1 - Transistor MOSFET Canal P AO4413, 30 V, 15 A, SOIC-8 SMD.