75645PM Transistor MOSFET Canal N 100V 75A TO-220-3 HUF75645P3

75645PM Transistor MOSFET Canal N 100V 75A 14m? Encapsulado TO-220 de 3 Pines Fairchild

El 75645PM es un transistor MOSFET de potencia de canal N, comercializado bajo la marca Fairchild Semiconductor y asociado a la familia HUF75645P3 UltraFET.

Este dispositivo está diseñado para aplicaciones electrónicas que requieren conmutación de corrientes elevadas, baja resistencia de conducción y control eficiente de cargas eléctricas.

Cuenta con una tensión máxima drenador-fuente de 100V, una corriente continua nominal de 75A bajo condiciones térmicas especificadas y una resistencia de conducción RDS(on) máxima de 14m? con tensión de compuerta de 10V.

Su tecnología UltraFET permite obtener una baja resistencia eléctrica durante la conducción, contribuyendo a reducir las pérdidas por efecto Joule en aplicaciones de potencia.

Se presenta en encapsulado TO-220 de tres terminales, diseñado para montaje de orificio pasante y fijación a un disipador térmico cuando la aplicación lo requiere.

Puede utilizarse en controladores de motores, convertidores DC/DC, fuentes de alimentación conmutadas y circuitos electrónicos de conmutación de potencia.

Nota de identificación: Las especificaciones corresponden al HUF75645P3 de Fairchild/onsemi. El sufijo adicional M del marcado comercial 75645PM debe verificarse contra la pieza original.

CARACTERÍSTICAS

• Transistor MOSFET de potencia.
• Marcado comercial: 75645PM.
• Referencia técnica asociada: HUF75645P3.
• Fabricante de referencia: Fairchild Semiconductor / onsemi.
• Tecnología UltraFET.
• Canal N.
• Modo de enriquecimiento.
• Tensión drenador-fuente máxima de 100V.
• Corriente continua nominal de 75A a temperatura de carcasa de 25°C.
• Resistencia RDS(on) máxima de 14m?.
• Resistencia RDS(on) típica de 11.5m?.
• Control mediante tensión aplicada a la compuerta.
• Baja resistencia de conducción.
• Capacidad de conmutación de corrientes elevadas.
• Encapsulado TO-220 de tres terminales.
• Pestaña metálica para montaje sobre disipador.
• Montaje de orificio pasante THT.

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

• Marcado: 75645PM.
• Modelo de referencia: HUF75645P3.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Polaridad: Canal N.
• Tecnología: UltraFET.
• Tensión máxima drenador-fuente (VDSS): 100V.
• Tensión máxima drenador-compuerta (VDGR): 100V, bajo condiciones especificadas.
• Tensión máxima compuerta-fuente (VGS): ±20V.
• Corriente continua de drenador (ID): 75A a TC=25°C y VGS=10V.
• Corriente continua de drenador (ID): 65A a TC=100°C y VGS=10V.
• Resistencia de conducción máxima RDS(on): 0.014? a VGS=10V.
• Resistencia de conducción típica RDS(on): 0.0115?.
• Tensión de umbral de compuerta VGS(th): 2V a 4V.
• Disipación máxima de potencia: 310W a TC=25°C.
• Reducción de potencia por temperatura: 2.07W/°C por encima de 25°C.
• Resistencia térmica máxima unión-carcasa: 0.48°C/W.
• Temperatura de unión y almacenamiento: -55°C a +175°C.
• Encapsulado: TO-220AB / TO-220-3.
• Número de terminales: 3.
• Montaje: Orificio pasante THT.
• Conexiones: Gate, Drain y Source.
• Pestaña metálica conectada al drenador.

¿QUÉ ES UN TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N?

Un MOSFET de canal N es un transistor de efecto de campo que permite controlar la circulación de corriente entre las terminales de drenador y fuente mediante una tensión aplicada a la compuerta.

A diferencia de los transistores bipolares convencionales, el MOSFET utiliza una compuerta aislada eléctricamente para controlar el canal de conducción.

Esta característica permite su utilización en sistemas electrónicos de conmutación, regulación de potencia y accionamiento de cargas.

El 75645PM, asociado al HUF75645P3, está diseñado para aplicaciones de potencia que requieren baja resistencia de conducción.

TECNOLOGÍA ULTRAFET

La tecnología UltraFET está orientada a proporcionar características de conducción y conmutación apropiadas para aplicaciones electrónicas de potencia.

El HUF75645P3 ofrece una resistencia RDS(on) máxima de 14m? con una tensión de compuerta de 10V.

Esta baja resistencia permite reducir las pérdidas de conducción en comparación con dispositivos que presentan una resistencia mayor, siempre que se respeten las condiciones eléctricas y térmicas de funcionamiento.

BAJA RESISTENCIA RDS(ON)

La resistencia drenador-fuente en conducción RDS(on) es uno de los parámetros principales para evaluar un MOSFET de potencia.

Cuando el transistor está correctamente activado, esta resistencia determina parte de las pérdidas eléctricas durante la circulación de corriente.

El HUF75645P3 presenta una resistencia máxima de 0.014?, equivalente a 14m?, bajo las condiciones de prueba del fabricante.

La resistencia puede aumentar con la temperatura y variar según la tensión aplicada a la compuerta.

CAPACIDAD DE CORRIENTE DE 75A

El transistor está especificado para una corriente continua de drenador de 75A cuando la temperatura de carcasa se mantiene a 25°C y se aplica una tensión de compuerta de 10V.

A una temperatura de carcasa de 100°C, la corriente nominal indicada se reduce a 65A.

La corriente real admisible depende de la capacidad de disipación térmica, la temperatura ambiente, las características de la tarjeta electrónica y las condiciones de funcionamiento.

La corriente nominal no significa que el transistor pueda conducir 75A continuamente sin un sistema térmico apropiado.

CONTROL MEDIANTE COMPUERTA

El MOSFET se controla aplicando una diferencia de potencial entre las terminales Gate y Source.

El HUF75645P3 presenta una tensión de umbral VGS(th) comprendida entre 2V y 4V bajo condiciones de medición de baja corriente.

Esta tensión de umbral no representa la tensión necesaria para obtener la resistencia mínima de conducción.

La resistencia RDS(on) especificada se obtiene con una tensión de compuerta de 10V.

Para aplicaciones de conmutación rápida o corriente elevada puede requerirse un controlador de compuerta adecuado.

DISIPACIÓN TÉRMICA

El HUF75645P3 presenta una disipación máxima teórica de 310W cuando la temperatura de carcasa se mantiene a 25°C.

Este valor corresponde a un límite bajo condiciones térmicas específicas y no representa la potencia que puede disiparse sin refrigeración.

Para aplicaciones de potencia elevada debe utilizarse un disipador apropiado y calcularse la temperatura de unión considerando las pérdidas de conducción y conmutación.

La pestaña metálica del encapsulado TO-220 está conectada eléctricamente al drenador.

IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES

Observando la cara frontal del transistor, con el texto orientado hacia el usuario y las terminales apuntando hacia abajo:

• Pin 1 - Gate (G): compuerta de control.
• Pin 2 - Drain (D): drenador.
• Pin 3 - Source (S): fuente.
• Pestaña metálica: conectada al drenador.

Antes de instalar el dispositivo debe verificarse la orientación y la distribución de terminales del componente original.

ENCAPSULADO TO-220

El transistor utiliza un encapsulado TO-220 de tres terminales, diseñado para montaje de orificio pasante.

El cuerpo incorpora una pestaña metálica con perforación para fijación mecánica a un disipador térmico.

Su formato permite utilizarlo en tarjetas electrónicas de potencia y facilita el reemplazo mediante soldadura convencional.

Cuando el disipador no debe estar conectado eléctricamente al drenador, es necesario utilizar los elementos de aislamiento apropiados.

APLICACIONES

• Controladores electrónicos de motores DC.
• Controladores de velocidad PWM.
• Convertidores DC/DC.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Etapas de conmutación de potencia.
• Control de cargas inductivas.
• Sistemas de alimentación de corriente continua.
• Equipos de automatización industrial.
• Circuitos de accionamiento de solenoides.
• Sistemas de control de motores.
• Etapas de potencia de equipos electrónicos.
• Controladores electrónicos de vehículos eléctricos compatibles.
• Reparación de tarjetas de potencia.
• Mantenimiento de equipos electrónicos industriales.
• Proyectos de electrónica de potencia.

VENTAJAS

• Transistor MOSFET de canal N.
• Tensión drenador-fuente de 100V.
• Corriente nominal de 75A bajo condiciones especificadas.
• Resistencia RDS(on) máxima de 14m?.
• Tecnología UltraFET.
• Adecuado para conmutación de cargas de potencia.
• Control mediante tensión de compuerta.
• Encapsulado TO-220.
• Montaje de orificio pasante.
• Posibilidad de montaje sobre disipador térmico.

RECOMENDACIONES DE INSTALACIÓN

• Verificar la identificación del componente y su referencia completa.
• Confirmar la distribución de terminales Gate, Drain y Source.
• Respetar la tensión máxima drenador-fuente de 100V.
• No exceder la tensión compuerta-fuente de ±20V.
• Utilizar un circuito de accionamiento de compuerta adecuado.
• Considerar las pérdidas de conducción y conmutación.
• Utilizar un disipador térmico cuando sea necesario.
• Considerar que la pestaña metálica está conectada al drenador.
• Implementar protección contra sobretensiones transitorias en cargas inductivas.
• Aplicar medidas de protección contra descargas electrostáticas ESD.
• Verificar la compatibilidad eléctrica y mecánica antes de utilizarlo como reemplazo.

IMPORTANTE

• Marcado comercial: 75645PM.
• Referencia técnica asociada: HUF75645P3.
• Tipo: MOSFET de potencia canal N.
• Tensión máxima: 100V.
• Corriente nominal: 75A, bajo condiciones especificadas.
• Resistencia RDS(on) máxima: 14m? a VGS=10V.
• Encapsulado: TO-220 de 3 terminales.
• Montaje: THT.
• La corriente nominal requiere condiciones térmicas adecuadas.
• La tensión de umbral no equivale a la tensión necesaria para conducción plena.
• El sufijo M del marcado 75645PM no ha sido confirmado mediante una ficha independiente.
• Para reemplazos debe verificarse la referencia técnica del dispositivo original.

INCLUYE

• 1 transistor MOSFET canal N 75645PM, referencia asociada HUF75645P3, 100V 75A, encapsulado TO-220 de tres terminales.