TM5503DM Transistor MOSFET Canal N 25V 80A para ECU Automotriz TO-263 D2PAK 5503DM

TM5503DM MOSFET Canal N 25V 80A para ECU Automotriz TO-263 D2PAK

El TM5503DM, también identificado por su marcaje como 5503DM, es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y baja tensión.

Está especificado para un voltaje Drain-Source de hasta 25 V y una corriente de drenaje de hasta 80 A bajo las condiciones correspondientes de operación y disipación térmica.

El TM5503DM es especialmente conocido por encontrarse en módulos ECU, computadoras automotrices y diferentes circuitos electrónicos de vehículos, donde se utiliza como elemento de conmutación de potencia.

Su encapsulado de potencia SMD permite transferir el calor generado durante la operación hacia la tarjeta de circuito impreso, por lo que el diseño térmico y el área de cobre del PCB son importantes cuando trabaja con corrientes elevadas.

CARACTERÍSTICAS

• Transistor MOSFET de potencia.
• Modelo: TM5503DM.
• Marcaje común: 5503DM.
• Canal: N.
• Voltaje Drain-Source: 25 V.
• Corriente de drenaje indicada: hasta 80 A.
• Diseñado para conmutación de potencia.
• Adecuado para aplicaciones de baja tensión y alta corriente.
• Utilizado en electrónica automotriz.
• Aplicaciones en módulos ECU.
• Encapsulado de potencia SMD.
• Montaje superficial.

ESPECIFICACIONES

• Modelo: TM5503DM.
• Marcaje: 5503DM.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: N.
• VDS: 25 V.
• ID: hasta 80 A.
• Tipo de montaje: SMD / Montaje superficial.
• Encapsulado comercialmente identificado: TO-263 / D2PAK.
• Aplicación común: Electrónica automotriz / ECU.

MOSFET DE CANAL N

El TM5503DM es un MOSFET de canal N, dispositivo semiconductor utilizado como interruptor electrónico para controlar corrientes considerablemente mayores mediante una señal aplicada a su terminal Gate.

Sus tres conexiones funcionales son:

• Gate (G): Terminal de control.
• Drain (D): Terminal de drenaje.
• Source (S): Terminal de fuente.

Al aplicar el voltaje adecuado entre Gate y Source, el MOSFET puede entrar en conducción y permitir el paso de corriente entre Drain y Source.

APLICACIONES EN ECU AUTOMOTRIZ

El 5503DM se encuentra comercialmente asociado con la reparación de ECU (Engine Control Unit) y módulos electrónicos automotrices.

En este tipo de sistemas, los MOSFET de potencia pueden utilizarse para controlar diferentes cargas eléctricas mediante las señales generadas por la electrónica de control.

Debido a que una ECU puede utilizar diferentes componentes dependiendo del fabricante, modelo y versión del vehículo, la referencia del componente original debe verificarse directamente antes de realizar una sustitución.

25 V DRAIN-SOURCE

El TM5503DM se comercializa con un voltaje máximo Drain-Source VDS de 25 V.

Esta característica lo orienta principalmente hacia aplicaciones de baja tensión donde se requieren corrientes elevadas, como diferentes etapas de potencia utilizadas en sistemas automotrices.

El voltaje nominal del sistema no debe utilizarse como único criterio para seleccionar un MOSFET de reemplazo; deben considerarse también los transitorios eléctricos presentes en el circuito.

CORRIENTE HASTA 80 A

El TM5503DM se especifica comercialmente con una corriente de drenaje de hasta 80 A.

Este valor representa una capacidad máxima bajo condiciones específicas y no significa que el transistor pueda conducir continuamente 80 A en cualquier instalación.

La corriente disponible en una aplicación real depende de factores como:

• Temperatura de unión.
• Temperatura ambiente.
• Disipación térmica.
• Área de cobre del PCB.
• Resistencia RDS(on).
• Voltaje aplicado al Gate.
• Ciclo de trabajo.
• Características de la carga.

CONMUTACIÓN DE POTENCIA

Los MOSFET de canal N son ampliamente utilizados para realizar conmutación electrónica de cargas debido a su velocidad de operación y a la posibilidad de controlar corrientes elevadas mediante una señal eléctrica aplicada al Gate.

El TM5503DM puede encontrarse en etapas donde es necesario activar y desactivar rápidamente una carga desde un circuito electrónico de control.

APLICACIONES

• ECU automotriz.
• Computadoras de motor.
• Módulos electrónicos automotrices.
• Etapas de potencia.
• Conmutación de cargas DC.
• Drivers de potencia.
• Fuentes de alimentación.
• Convertidores DC-DC.
• Sistemas electrónicos de baja tensión.
• Reparación de módulos automotrices.
• Reparación de tarjetas electrónicas.
• Reemplazo de MOSFET 5503DM en equipos compatibles.

REPARACIÓN DE MÓDULOS AUTOMOTRICES

El TM5503DM puede utilizarse como componente de reemplazo durante trabajos de reparación electrónica cuando el circuito original utiliza la misma referencia 5503DM.

Antes de sustituir un MOSFET dañado es recomendable revisar también los componentes relacionados con su Gate y la carga controlada, ya que una falla externa puede provocar nuevamente daños en el transistor instalado.

También debe comprobarse que no exista un cortocircuito en la carga antes de energizar nuevamente el módulo reparado.

ENCAPSULADO DE POTENCIA SMD

El TM5503DM se encuentra en un encapsulado de potencia para montaje superficial SMD, comercialmente identificado como TO-263 / D2PAK.

Este tipo de encapsulado dispone de una gran superficie metálica destinada tanto a la conexión eléctrica como a facilitar la transferencia térmica hacia el PCB.

Para obtener un funcionamiento adecuado a corrientes elevadas es importante que el componente quede correctamente soldado y que la tarjeta disponga del área de cobre necesaria para disipar el calor.

IMPORTANTE

• El TM5503DM es un MOSFET de canal N.
• También puede encontrarse mediante el marcaje 5503DM.
• Voltaje Drain-Source indicado: 25 V.
• Corriente de drenaje indicada: hasta 80 A.
• La corriente máxima depende de las condiciones térmicas y eléctricas de operación.
• Es utilizado comúnmente en reparación de módulos ECU y electrónica automotriz.
• La compatibilidad no debe determinarse únicamente por voltaje y corriente.
• Para utilizarlo como reemplazo, verifique la matrícula, encapsulado, distribución de terminales y características del componente original.
• Antes de sustituir un MOSFET dañado, verifique que la carga controlada no presente cortocircuito.
• Utilice protección ESD durante su manipulación y soldadura.

INCLUYE

• 1 - Transistor MOSFET TM5503DM / 5503DM.
• Canal N.
• 25 V / hasta 80 A.
• Encapsulado de potencia SMD.