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TK20A60U Transistor MOSFET Canal N 600V 20A TO-220F-3
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TK20A60U Transistor MOSFET Canal N 600V 20A TO-220F-3





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TK20A60U MOSFET Canal N 600V 20A TO-220F Toshiba DTMOS II


El TK20A60U es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por Toshiba, perteneciente a la tecnología DTMOS II. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia, especialmente en fuentes de alimentación conmutadas y otros circuitos donde se requiere manejar altos voltajes y corrientes.

Cuenta con una tensión máxima Drain-Source (VDS) de 600 V y una corriente continua de hasta 20 A. Su baja resistencia de conducción permite reducir las pérdidas durante el funcionamiento, mientras que su capacidad de conmutación lo hace adecuado para aplicaciones de potencia.

El dispositivo utiliza un encapsulado TO-220F / TO-220FP de 3 terminales, con cuerpo aislado, facilitando su montaje en aplicaciones donde se requiere aislamiento eléctrico respecto al disipador.

 

CARACTERÍSTICAS


  • MOSFET de potencia de canal N.
  • Tecnología Toshiba DTMOS II.
  • Voltaje Drain-Source: 600 V.
  • Corriente continua Drain: 20 A.
  • Corriente Drain pulsada: 40 A.
  • Baja resistencia RDS(on).
  • Modo de operación: enriquecimiento.
  • Voltaje máximo Gate-Source: ±30 V.
  • Alta capacidad de transferencia de corriente.
  • Encapsulado TO-220F / TO-220FP.
  • 3 terminales.
  • Montaje Through-Hole (THT).

 

ESPECIFICACIONES


  • Modelo: TK20A60U.
  • Fabricante: Toshiba.
  • Tipo: MOSFET de potencia.
  • Canal: N.
  • Tecnología: DTMOS II.
  • Voltaje Drain-Source (VDS): 600 V.
  • Corriente continua Drain (ID): 20 A.
  • Corriente pulsada Drain (IDP): 40 A.
  • Resistencia RDS(on): 190 mΩ máximo a VGS = 10 V.
  • Voltaje Gate-Source (VGSS): ±30 V.
  • Voltaje umbral Gate-Source: 3 a 5 V.
  • Carga de compuerta (Qg): 27 nC.
  • Disipación de potencia máxima: 45 W.
  • Temperatura máxima de unión: 150 °C.
  • Encapsulado: TO-220F / TO-220FP-3.
  • Montaje: Through-Hole (THT).

 

TECNOLOGÍA DTMOS II


El DTMOS II es una tecnología de MOSFET de potencia desarrollada por Toshiba para obtener una combinación de alta capacidad de manejo de corriente y baja resistencia de conducción.

El TK20A60U presenta una resistencia de conducción baja para un dispositivo de 600 V, ayudando a reducir las pérdidas de potencia durante la conducción. Estas características lo hacen especialmente apropiado para aplicaciones de conmutación de potencia.

 

APLICACIONES


  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
  • Fuentes Flyback.
  • Fuentes de alimentación industriales.
  • Convertidores de potencia.
  • Reguladores de conmutación.
  • Inversores.
  • Controladores de motores.
  • Equipos electrónicos de potencia.
  • Reparación de fuentes electrónicas.
  • Aplicaciones de conmutación de alto voltaje.

 

VENTAJAS


  • Alta capacidad de manejo de voltaje.
  • Corriente continua de hasta 20 A.
  • Baja resistencia de conducción.
  • Conmutación eficiente.
  • Encapsulado TO-220F con cuerpo aislado.
  • Amplio rango de aplicaciones en electrónica de potencia.

 

ENCAPSULADO TO-220F


El TK20A60U se encuentra en un encapsulado de potencia de 3 terminales con cuerpo aislado. Esta característica permite utilizarlo en aplicaciones donde el componente requiere montaje sobre un disipador sin que la parte metálica del encapsulado quede eléctricamente expuesta de la misma forma que en un TO-220 convencional.

Antes de instalarlo, se recomienda verificar la distribución de terminales y las condiciones de aislamiento del disipador de acuerdo con el diseño del equipo.

 

TERMINALES


  • Terminal 1: Gate (G).
  • Terminal 2: Drain (D).
  • Terminal 3: Source (S).

 

IMPORTANTE


  • El TK20A60U es un MOSFET de canal N.
  • El voltaje máximo Drain-Source es de 600 V.
  • La corriente de 20 A corresponde a las condiciones especificadas por el fabricante y debe considerarse junto con la temperatura y disipación térmica.
  • La resistencia RDS(on) depende de las condiciones de polarización de la compuerta y temperatura.
  • Verifique la distribución de terminales antes de utilizarlo como reemplazo.
  • Los MOSFET son sensibles a descargas electrostáticas; manipúlelos utilizando protección ESD.
  • En aplicaciones de potencia se recomienda utilizar una adecuada disipación térmica.

 

INCLUYE


  • 1 - Transistor MOSFET Canal N TK20A60U, 600 V, 20 A, TO-220F / TO-220FP.
TOSHIBA
TK20A60U

Ficha de datos

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Referencias Específicas