IPN80R900P7 Transistor MOSFET Canal N 800V 6A, SOT-223 SMD

IPN80R900P7 MOSFET Canal N 800V 6A SMD, SOT-223 CoolMOS™ P7 Infineon

El IPN80R900P7 es un transistor MOSFET de potencia de canal N perteneciente a la familia CoolMOS™ P7 de Infineon, desarrollado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta eficiencia.

Soporta un voltaje máximo Drain-Source (VDS) de 800 V y una corriente continua de hasta 6 A, ofreciendo una excelente combinación entre eficiencia, facilidad de manejo y confiabilidad. Su baja carga de compuerta y reducida energía de salida permiten disminuir las pérdidas de conmutación y aumentar la eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas.

El dispositivo se suministra en encapsulado PG-SOT223 (SOT-223) para montaje superficial SMD, incorporando además protección ESD mediante un diodo Zener integrado en la compuerta.

CARACTERÍSTICAS

• MOSFET de potencia de canal N.
• Tecnología Infineon CoolMOS™ P7.
• Voltaje Drain-Source (VDS): 800 V.
• Corriente continua Drain (ID): 6 A.
• Resistencia RDS(on): 900 mΩ máximo.
• Carga típica de compuerta (Qg): 15 nC.
• Voltaje umbral típico VGS(th): 3 V.
• Protección ESD mediante diodo Zener integrado.
• Baja energía de salida (Eoss).
• Alta eficiencia para fuentes conmutadas.
• Encapsulado PG-SOT223 (SOT-223).
• Montaje superficial SMD.

ESPECIFICACIONES

• Modelo: IPN80R900P7.
• Fabricante: Infineon Technologies.
• Familia: CoolMOS™ P7.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: N.
• Voltaje Drain-Source (VDS): 800 V.
• Corriente continua Drain (ID): 6 A.
• Corriente Drain pulsada: 14 A.
• Resistencia RDS(on): 900 mΩ máximo.
• Voltaje máximo Gate-Source: ±20 V (estático).
• Carga típica de compuerta: 15 nC.
• Potencia máxima de disipación: 7 W.
• Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C.
• Encapsulado: PG-SOT223 (SOT-223).
• Montaje: Superficial SMD.

APLICACIONES

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Cargadores y adaptadores de corriente.
• Drivers para iluminación LED.
• Fuentes auxiliares (AUX Power).
• Equipos de audio.
• Fuentes industriales.
• Etapas PFC en aplicaciones de consumo.
• Inversores y aplicaciones solares.
• Reparación de fuentes electrónicas.

TECNOLOGÍA COOLMOS™ P7

La familia CoolMOS™ P7 utiliza tecnología Super Junction de Infineon para reducir las pérdidas de conducción y conmutación, permitiendo diseñar fuentes de alimentación más eficientes, compactas y con menor generación de calor.

Su baja carga de compuerta facilita el manejo mediante controladores estándar y contribuye a mejorar el rendimiento energético del sistema.

IMPORTANTE

• Este componente corresponde al modelo IPN80R900P7 de Infineon.
• Verifique siempre el encapsulado PG-SOT223 (SOT-223) antes de utilizarlo como reemplazo.
• Compruebe la compatibilidad de voltaje, corriente, RDS(on) y distribución de terminales con el componente original.
• Los MOSFET son sensibles a descargas electrostáticas; manipúlelos utilizando protección ESD.
• En aplicaciones de potencia se recomienda una adecuada disipación térmica del PCB.

INCLUYE

• 1 - Transistor MOSFET Canal N IPN80R900P7, 800 V, 6 A, PG-SOT223 (SOT-223) SMD.