NCE3010S MOSFET Canal N 30V 10A SMD, SOP-8

NCE3010S MOSFET Canal N 30V 10A SMD, SOP-8, NCE Power

El NCE3010S de NCE Power es un transistor MOSFET de potencia de canal N (N-Channel), diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia y circuitos electrónicos de alta frecuencia.

Cuenta con un voltaje máximo Drain-Source (VDS) de 30 V y una corriente continua Drain (ID) de hasta 10 A bajo las condiciones especificadas por el fabricante. Su tecnología Trench permite obtener una baja resistencia en conducción RDS(on) y una baja carga de compuerta, características importantes para reducir pérdidas durante la conmutación.

El NCE3010S se presenta en encapsulado SOP-8 para montaje superficial SMD, siendo adecuado para fuentes de alimentación, convertidores DC-DC, circuitos de conmutación, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) y reparación de tarjetas electrónicas.

CARACTERÍSTICAS

• Transistor MOSFET de potencia.
• Canal N (N-Channel).
• Modo Enhancement / Enriquecimiento.
• Voltaje Drain-Source (VDS): 30 V.
• Corriente continua Drain (ID): 10 A.
• Corriente Drain pulsada (IDM): 50 A.
• Baja resistencia Drain-Source en conducción.
• RDS(on) menor a 12 mΩ con VGS = 10 V.
• RDS(on) menor a 16 mΩ con VGS = 4.5 V.
• Voltaje máximo Gate-Source (VGS): ±20 V.
• Diseño de alta densidad para baja RDS(on).
• Adecuado para aplicaciones de conmutación de potencia.
• Encapsulado SOP-8.
• Montaje superficial SMD.

ESPECIFICACIONES

• Modelo: NCE3010S
• Fabricante: NCE Power.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Tipo de canal: N (N-Channel).
• Modo: Enhancement / Enriquecimiento.
• Voltaje Drain-Source (VDS): 30 V.
• Voltaje Gate-Source (VGS): ±20 V.
• Corriente continua Drain (ID): 10 A.
• Corriente continua Drain a TC = 100 °C: 6 A.
• Corriente Drain pulsada (IDM): 50 A.
• RDS(on) a VGS = 10 V: Menor a 12 mΩ.
• RDS(on) a VGS = 4.5 V: Menor a 16 mΩ.
• Disipación máxima de potencia: 2.5 W.
• Temperatura de operación y almacenamiento: -55 °C a +150 °C.
• Encapsulado: SOP-8.
• Número de terminales: 8.
• Tipo de montaje: Superficial SMD.

DISTRIBUCIÓN DE TERMINALES

• Pin 1: Source (S).
• Pin 2: Source (S).
• Pin 3: Source (S).
• Pin 4: Gate (G).
• Pin 5: Drain (D).
• Pin 6: Drain (D).
• Pin 7: Drain (D).
• Pin 8: Drain (D).

Los múltiples terminales de Source y Drain permiten distribuir la corriente entre las conexiones del encapsulado. Antes de realizar una sustitución se recomienda verificar la orientación y distribución de terminales en la tarjeta.

APLICACIONES

• Conmutación electrónica de potencia.
• Fuentes de alimentación.
• Convertidores DC-DC.
• Circuitos de conmutación de alta frecuencia.
• Control de cargas.
• Etapas de potencia.
• Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).
• Equipos alimentados mediante batería.
• Tarjetas electrónicas de potencia.
• Equipos electrónicos.
• Reparación y mantenimiento de tarjetas electrónicas.

BAJA RESISTENCIA RDS(ON)

Una de las características principales del NCE3010S es su baja resistencia Drain-Source cuando el MOSFET se encuentra en conducción. NCE Power especifica una RDS(on) inferior a 12 mΩ con VGS = 10 V y menor a 16 mΩ con VGS = 4.5 V.

Una baja RDS(on) ayuda a reducir la caída de voltaje y las pérdidas de potencia durante la conducción, siendo una característica importante en circuitos de conmutación y administración de energía.

APLICACIONES DE CONMUTACIÓN

El NCE3010S está diseñado para utilizarse como interruptor electrónico de potencia. Al controlar el voltaje aplicado entre Gate y Source es posible controlar la conducción de corriente entre Drain y Source.

Su combinación de 30 V, 10 A y baja RDS(on) permite utilizarlo en aplicaciones de baja tensión donde se requiere controlar cargas con bajas pérdidas de conducción.

El fabricante indica entre sus aplicaciones la conmutación de potencia, circuitos de conmutación dura y alta frecuencia, así como sistemas UPS.

RECOMENDACIONES PARA REEMPLAZO

• Verifique que el componente original sea un MOSFET de canal N.
• Compruebe que el voltaje Drain-Source (VDS) sea compatible.
• Verifique la corriente Drain requerida por el circuito.
• Compare la resistencia RDS(on) del componente original.
• Verifique los requerimientos de voltaje de Gate.
• Compruebe que el encapsulado y distribución de terminales sean compatibles.
• En aplicaciones de alta frecuencia también deben considerarse las características dinámicas del MOSFET.

IMPORTANTE

• Esta ficha corresponde específicamente al NCE3010S de NCE Power.
• El NCE3010S es un MOSFET de canal N de 30 V y 10 A.
• El valor de 10 A corresponde a las condiciones especificadas por el fabricante; la corriente práctica dependerá del diseño de la tarjeta y las condiciones térmicas de operación.
• No exceda el voltaje máximo Gate-Source de ±20 V.
• Para utilizarlo como reemplazo, verifique VDS, ID, RDS(on), características de Gate, encapsulado y distribución de terminales.
• Los dispositivos MOSFET pueden ser sensibles a descargas electrostáticas; utilice las precauciones adecuadas durante su manipulación.
• Verifique la orientación del componente antes de realizar la soldadura sobre la tarjeta.

INCLUYE

• 1 - MOSFET Canal N NCE3010S, 30 V, 10 A, SOP-8 SMD.