AUIRFR024N Transistor MOSFET Canal N 55V 17A, TO-252-3 DPAK-3 SMD

Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este diseño celular de MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia en estado activo por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la alta velocidad de conmutación y el diseño robusto que caracterizan a los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en la industria automotriz y una amplia variedad de otras aplicaciones.

CARACTERÍSTICAS

• Tecnología planar avanzada
• Baja resistencia en estado activo
• Clasificación dv/dt dinámica
• Temperatura de funcionamiento: 175 °C
• Conmutación rápida
• Totalmente protegido contra avalanchas
• Avalanchas repetitivas permitidas hasta Tjmax
• Libre de plomo, conforme a RoHS
• Apto para uso automotriz*