2SC2625 Transistor BJT NPN de Potencia 400V 10A 80W Alta Velocidad TO-3P

2SC2625 Transistor BJT NPN de Potencia 400V 10A 80W Alta Velocidad TO-3P

El 2SC2625 es un transistor bipolar de potencia BJT NPN de alta tensión y alta velocidad, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia. Puede soportar hasta 400 V entre colector y emisor y una corriente máxima de colector de 10 A.

Su diseño está orientado principalmente a aplicaciones de alta velocidad de conmutación, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, inversores de alta frecuencia y otros circuitos electrónicos de potencia.

El transistor se encuentra disponible en encapsulado de potencia TO-3P / SC-65, con tres terminales y montaje Through-Hole. Su capacidad de disipación de hasta 80 W, bajo las condiciones especificadas, permite utilizarlo en aplicaciones que requieren una adecuada disipación térmica.

CARACTERÍSTICAS

• Transistor bipolar de potencia BJT.
• Tipo NPN.
• Alta tensión.
• Alta velocidad de conmutación.
• Voltaje Colector-Emisor: 400 V.
• Corriente máxima de colector: 10 A.
• Disipación de potencia: hasta 80 W.
• Alta confiabilidad.
• Adecuado para fuentes switching.
• Adecuado para inversores de alta frecuencia.
• Encapsulado TO-3P.
• Montaje Through-Hole (THT).

ESPECIFICACIONES

• Modelo: 2SC2625.
• Tipo: Transistor BJT de potencia.
• Polaridad: NPN.
• Voltaje Colector-Base (VCBO): 450 V.
• Voltaje Colector-Emisor (VCEO): 400 V.
• Voltaje Colector-Emisor sostenido (VCEO(SUS)): 400 V.
• Voltaje Emisor-Base (VEBO): 7 V.
• Corriente máxima de colector (IC): 10 A.
• Corriente máxima de base (IB): 3 A.
• Disipación de potencia máxima (PC): 80 W.
• Temperatura máxima de unión: 150 °C.
• Ganancia de corriente DC mínima (hFE): 10.
• Voltaje de saturación Colector-Emisor máximo: 1.2 V.
• Voltaje de saturación Base-Emisor máximo: 1.5 V.
• Encapsulado: TO-3P / SC-65.
• Número de terminales: 3.
• Montaje: Through-Hole.

TRANSISTOR DE ALTA VELOCIDAD

El 2SC2625 fue diseñado para trabajar en aplicaciones donde el transistor debe cambiar rápidamente entre los estados de conducción y corte.

El fabricante especifica tiempos de conmutación del orden de microsegundos, incluyendo aproximadamente 1 µs de tiempo de encendido, 2 µs de almacenamiento y 1 µs de caída bajo las condiciones de prueba establecidas. :contentReference[oaicite:1]{index=1}

Esta característica lo hace especialmente apropiado para circuitos de conmutación de potencia en los que la velocidad del transistor influye directamente en la eficiencia del sistema.

APLICACIONES

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Reguladores de conmutación.
• Convertidores de potencia.
• Inversores de alta frecuencia.
• Generadores ultrasónicos.
• Amplificadores de potencia.
• Circuitos de conmutación de alta tensión.
• Equipos electrónicos de potencia.
• Reparación de fuentes switching.
• Reparación de equipos electrónicos.

ENCAPSULADO TO-3P

El 2SC2625 utiliza un encapsulado de potencia TO-3P / SC-65 de tres terminales. Este formato está diseñado para facilitar la disipación térmica y el montaje en tarjetas electrónicas de potencia.

En aplicaciones cercanas a su límite de potencia se recomienda utilizar un disipador adecuado y considerar la resistencia térmica entre la unión y el encapsulado.

TERMINALES

• Pin 1: Base (B).
• Pin 2: Colector (C).
• Pin 3: Emisor (E).

El colector se encuentra asociado a la lengüeta metálica del encapsulado en las presentaciones correspondientes, por lo que debe considerarse el aislamiento eléctrico al instalarlo sobre un disipador.

IMPORTANTE

• El 2SC2625 es un transistor BJT NPN, no un MOSFET.
• El voltaje máximo Colector-Emisor es de 400 V.
• La corriente máxima de colector especificada es de 10 A.
• La disipación máxima de 80 W depende de las condiciones térmicas y de montaje.
• No debe operar continuamente en los valores máximos sin considerar temperatura y disipación.
• Verifique la distribución de terminales antes de utilizarlo como reemplazo.
• Utilice un disipador adecuado cuando la aplicación lo requiera.
• Se recomienda protección ESD durante su manipulación y montaje.

INCLUYE

• 1 - Transistor BJT NPN 2SC2625.
• 400 V, 10 A, 80 W.
• Encapsulado TO-3P / SC-65.