PHD13005 Transistor BJT NPN 400V 4A TO-220-3 con Diodo Integrado

PHD13005 Transistor BJT NPN 400V 4A TO-220-3 con Diodo Integrado

El PHD13005 es un transistor bipolar de potencia BJT NPN de alta velocidad diseñado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Está especialmente desarrollado para fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), balastros electrónicos para lámparas fluorescentes, convertidores electrónicos y transformadores electrónicos.

Este dispositivo soporta un voltaje Colector-Emisor (VCEO) de hasta 400 V y una corriente continua de colector de 4 A. Incorpora un diodo antiparalelo integrado entre Emisor y Colector, característica que ayuda a mejorar el desempeño en aplicaciones de conmutación inductiva.

Su encapsulado TO-220-3 proporciona una adecuada disipación térmica y facilita su montaje sobre disipadores de calor cuando la aplicación lo requiere.

CARACTERÍSTICAS

• Transistor bipolar BJT NPN de potencia.
• Alta velocidad de conmutación.
• Diodo antiparalelo integrado.
• Voltaje Colector-Emisor (VCEO): 400 V.
• Voltaje Colector-Base (VCBO): 700 V.
• Voltaje pico Colector-Emisor (VCESM): 700 V.
• Corriente continua de colector: 4 A.
• Corriente pico de colector: 8 A.
• Potencia máxima de disipación: 75 W.
• Encapsulado TO-220-3.
• Montaje Through-Hole.

ESPECIFICACIONES

• Modelo: PHD13005.
• Tipo: Transistor BJT.
• Polaridad: NPN.
• Voltaje Colector-Emisor (VCEO): 400 V.
• Voltaje Colector-Base (VCBO): 700 V.
• Voltaje pico Colector-Emisor (VCESM): 700 V.
• Corriente de colector (IC): 4 A.
• Corriente pico de colector: 8 A.
• Potencia máxima: 75 W.
• Ganancia DC (hFE): 12 a 40 (dependiendo de la corriente).
• Temperatura máxima de unión: 150 °C.
• Encapsulado: TO-220AB / TO-220-3.
• Montaje: Through-Hole (THT).

DIODO INTEGRADO

Una de las principales ventajas del PHD13005 es la incorporación de un diodo antiparalelo entre Emisor y Colector, diseñado para mejorar el comportamiento del transistor en aplicaciones de conmutación donde existen cargas inductivas y corrientes de recuperación.

Esta característica reduce el número de componentes externos requeridos en diversos diseños electrónicos.

APLICACIONES

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Balastros electrónicos para lámparas fluorescentes.
• Transformadores electrónicos para lámparas halógenas.
• Convertidores de potencia.
• Osciladores de potencia.
• Fuentes auto-oscilantes.
• Etapas de conmutación.
• Reparación de fuentes electrónicas.
• Equipos industriales.

IMPORTANTE

• El PHD13005 es un transistor de alta tensión; no debe confundirse con transistores de baja tensión de la serie 2N.
• Incluye un diodo antiparalelo integrado.
• Para utilizarlo como reemplazo, verifique el encapsulado, distribución de terminales y características eléctricas.
• Cuando trabaje en aplicaciones de potencia se recomienda utilizar un disipador térmico adecuado.
• No exceda los límites máximos de corriente, voltaje y potencia especificados por el fabricante.

INCLUYE

• 1 - Transistor BJT NPN PHD13005, TO-220-3.